Orientador: Jose Claudio Galverani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T19:27:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1989 / Resumo: Neste trabalho foram estudadas algumas propriedades de contatos ôhmicos obtidos pela deposição de filmes do tipo (AuGe), (AuGeNi+AuNi) sobre substratos n-GaAs e filmes do tipo (Au+Zn+Au) sobre substratos p-GaSb.
Foi realizado um estudo comparativo entre três métodos de medida da resistência específica de contato rc (W cm2); encontrou-se que o método 4 pontas é o mais indicado ao estudo destes contatos, construídos sobre substratos com concentração de portadores entre aproximadamente 1016 cm-3 e 1019 cm-3. Medidas de rc foram usadas para caracterizar eletricamente os contatos.
Para os contatos sobre p-GaSb foi verificado o comportamento de rc em função da temperatura de recozimento; um valor mínimo para rc foi encontrado para recozimento a 300 ºC/15 minutos. Interdifusões entre os elementos e uma forte presença de oxigênio foram observadas por Espectroscopia de Elétrons Auger e Espectroscopia de Retro-Espalhamento Rutherford, estes resultados são relacionados com as propriedades de rc.
Espectroscopia de Elétrons Auger e Difratometria de Raio-X foram usadas para estudar o comportamento dos elementos (interdifusões e formação de compostos) na interface do contato n-GaAs / (AuGeNi+AuNi). O comportamento de rc em função da temperatura de recozimento foi testado; um recozimento a aproximadamente 470 ºC durante 3 minutos proporcionou o valor mínimo para rc. Foi verificado também o comportamento de rc em função da concentração de portadores original dos substratos e os resultados foram comparados com a teoria de Popovic[37]. Foram comparados os resultados obtidos para recozimentos rápidos e recozimentos convencionais: verificou-se que um recozimento rápido por 12 segundos proporciona resistências específicas de contato com valores próximos aos obtidos por recozimento convencional a 460 ºC / 3 minutos e com menor interdifusão entre os elementos.
Foram feitas comparações entre as características dos diferentes contatos obtidos pela deposição dos três tipos de filmes sobre o substrato n-GaAs / Abstract: This work concerns to the study of ohmic contacts obtained by deposition of the (AuGe), (AuGeNi+AuNi) and (Ni+AuGe+Ni+Au) films on n-GaAs substrates and deposition of the (Au+Zn+Au) films on p-GaSb substrates.
With relation to contacts on p-GaSb it was verified the specific contact resistance rc(W cm2) behavior, as a function of alloying temperature; the lowest rc value was achieved for 300 °C/15 minutes alloying. Interdiffusion of the elements and large oxygen presence was observed using Auger Electron Spectroscopy and Rutherford Backscattering Spectroscopy; this results was related with rc properties.
Auger Electron Spectroscopy and X-Ray Diffraction were used to study the behavior of elements (interdiffusion and compounds formation) at interface of n-GaAs(AuGeNi+AuNi) contact. The rc behavior with alloying temperature was tested; an alloying around 470 °C during 3 minutes proportionated the lowest rc. A study of rc as a function of bulk carriers concentration was made and the results were compared with Popovic's[37] theory. Results obtained from rapid and conventional alloying were compared; the rc values for a rapid alloying of 12 seconds and conventional alloying at 470 °C during 3 minutes are compatibles and the first type showed negligible interdiffusion of the elements.
Comparisons between the characteristics of different contacts obtained by deposition of the three types of films on n-GaAs were made / Mestrado / Física / Mestre em Física
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/278111 |
| Date | 28 February 1989 |
| Creators | Oliveira, Jose Bras Barreto de |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Galverani, Jose Claudio |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | 148f., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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