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Influência de parâmetros tecnológicos e geométricos sobre o desempenho de transistores SOI de canal gradual/

Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:sofia.fei.edu.br:perga-oai/126423
Date January 2015
CreatorsAssalti, R.
ContributorsSouza, Michelly de.
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, instname:Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana, instacron:FEI
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
RelationDisponível também em versão on-line

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