Modèle analytique à une dimension du transistor MOSFET de puissance prenant en compte les interactions thermoélectriques /

Description

Th. doct.-ing.--Electronique et communications--Paris--ENST, 1993. / Résumé en français et en anglais. Notes bibliogr.

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1. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb35706674x

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/463860214
Date	January 1994
Creators	Lallement, Christophe.
Publisher	Paris : École nationale supérieure des Télécommunications,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French