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Previous issue date: 2018-01-19 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / O projeto contínuo de desenvolvimento de pesquisas em novos materiais orgânicos mais eficientes, mais puros e com boa estabilidade térmica e morfológica é fundamental para a aplicação em novos dispositivos orgânicos. Nesse contexto, o objetivo dessa tese é a fabricação e caracterização de novos dispositivos orgânicos emissores de luz (OLEDs). Essa pesquisa foi desenvolvida com duas abordagens e aplicações distintas. Na primeira, utiliza-se uma nova classe de derivados de xanteno (XD) como materiais transportadores de buracos, e na segunda, apresenta-se dois novos complexos de Európio como materiais emissores de luz. Na aplicação dos XD como camada transportadora de buracos (CTB) foram fabricados OLEDs bicamada, utilizando-se o material comercial Alq3 como emissor de luz. Os resultados desse estudo foram comparados com dispositivos de referência fabricados com o material comercial α-NPD no lugar dos XD. Todos os dispositivos baseados nos XD apresentaram uma eficiência de corrente mais elevada quando comparados com dispositivos de referência α-NPD. Um estudo teórico e experimental sobre a mobilidade de buracos dos XD e α-NPD mostram que todos os XD possuem mobilidade de buraco mais elevada que o material comercial. A mobilidade de buraco mais elevado na camada dos XD proporcionou um melhor equilíbrio de buracos e elétrons e, portanto, maior recombinação, resultando em eficiência aprimorada. Na segunda parte deste trabalho, foram estudados dois complexos de Európio como emissores de luz na região do vermelho do espectro visível. Os complexos de Európio, [Eu(btfa)3(dmbpy)2] e [Eu (TTA)3(PhenSe)], apresentaram as transições características ⁵D₀ → ⁷FJ (J = 0-4), em solução e em filme fino evaporado termicamente. Com o complexo [Eu(btfa)3(dmbpy)2] foram fabricados dispositivos com duas configurações de diferentes e, embora os OLEDs tenham apresentado uma banda larga devido à contribuição do Alq3, demonstrou-se a fabricação de um OLED eficiente. Já o complexo [Eu (TTA)3(PhenSe)] as eletroluminescências dos dispositivos apresentaram uma banda larga centrada em 580 nm, dificultando assim a observação das transições ⁵D₀ → ⁷FJ (J = 0,1). / The continuing research project to develop new organic materials that are more efficient, purest and with a good morphological and thermal stability is essential to apply them to new organic devices. Therefore, the aim of this thesis is the fabrication and the characterization of organic electroluminescent devices (OLEDs). This research was developed based on two distinctive approaches. At first, it was used a new xanthene derivative (XD) class as a hole transporting material and, secondly, it is shown two new Europium complex as light emitters. The use of XD as hole transporting layer (HTL) was made to fabricated bilayers OLEDs using the commercial material Alq3 as light emitters. Their results were compared to the reference device previously fabricated with the commercial material α-NPD. All XD devices presented a higher current efficiency when compared to the α-NPD reference device. A theoretical and experimental study of the XD and α-NPD holes mobility showed that all XD has a higher hole mobility than the commercial material. The higher hole mobility of the XD layer resulted in a better balance between hole and electrons and consequently, in a higher number of combinations, resulting in devices with improved efficiency. At the second part of this study, it was studied two Europium complexes as red-light emitters. The Europium complex, [Eu(btfa)3(dmbpy)] and [Eu(TTA)3(PhenSe)], showed the transitions characteristic of ⁵D₀ → ⁷FJ (J = 0-4) in solution and in a thermal evaporated thin film. The [Eu(btfa)3(dmbpy)] complex was used to fabricate devices with two different configurations and, although the OLEDs have shown a wide band due to the Alq3 contribution, the OLEDs presented good efficiency. In contrast, the electroluminescence of the [Eu (TTA)3(PhenSe)] complex based devices showed a wide band centered in 580 nm, in this case, covering the narrow ⁵D₀ → ⁷FJ (J = 0,1) transitions.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:hermes.cpd.ufjf.br:ufjf/6803 |
| Date | 19 January 2018 |
| Creators | Marins, Jefferson da Silva |
| Contributors | Quirino, Welber Gianini, Silva Filho, Luiz Carlos da, Santos, Lucas Fugikawa, Legnani, Cristiano, Maciel, Indhira Oliveira |
| Publisher | Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF), Programa de Pós-graduação em Física, UFJF, Brasil, ICE – Instituto de Ciências Exatas |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFJF, instname:Universidade Federal de Juiz de Fora, instacron:UFJF |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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