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Quasi-van-der-Waals-Epitaxie von II-VI-Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-Oberflächen

Techn. Universiẗat, Diss., 2003--Darmstadt.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/175081535
CreatorsWisotzki, Elmar.
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
TypeOnline-Publikation.

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