Dans l’optique de développer de nouveaux système RF les plus intégrés possibles, les technologies above-IC compatibles avec les technologies silicium ouvrent des perspectives prometteuses sur un plan économique pour l’industrie du semi-conducteur. En effet, a contrario des résonateurs SAW et céramiques, les résonateurs à ondes acoustiques de volume (BAW) peuvent être fabriqués en utilisant des matériaux compatible CMOS VLSI pour des performances électriques comparables, voir supérieures dans certains cas en termes de fréquence et de puissance. Les travaux de cette thèse ont connus deux grandes partie ; la première a été focalisée sur le développement d’une nouvelle topologie de filtre BAW accordable pour des applications de quatrième génération de téléphone mobile (4G). La seconde partie a été orientée vers une étude de faisabilité d’un filtre BAW-SMR autour d’une fréquence de travail à 7GHz pour une application spatiale. / Abstract
| Identifer | oai:union.ndltd.org:theses.fr/2011BOR14472 |
| Date | 22 December 2011 |
| Creators | Baraka, Kamal |
| Contributors | Bordeaux 1, Kerhervé, Eric, Pham, Jean-Marie |
| Source Sets | Dépôt national des thèses électroniques françaises |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | Electronic Thesis or Dissertation, Text |
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