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Étude de la modification, contrôlée par grille isolée, de la vitesse de recombinaison en surface des transistors bipolaires, après avalanche de la jonction base-émetteur : applicabilité du phénomène à la réalisation de cellules mémoires non volatiles, reprogrammables électriquement.

Th.--Sci. phys.--Bordeaux 1, 1978. N°: 600.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/464856665
Date January 1978
CreatorsDom, Jean-Paul,
Publisher[S.l.],
Source SetsOCLC
LanguageFrench
Detected LanguageFrench

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