Contribution à l'étude des mécanismes de défaillances de l'IGBT sous régimes de fortes contraintes électriques et thermiques

Description

Thèse de doctorat : Sciences physiques et de l'ingénieur. Electronique : Bordeaux 1 : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre.

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1. http://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2008/BENMANSOUR_ADEL_2008

Tags

Transistors bipolaires

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/495349527
Date	January 2008
Creators	Benmansour, Adel Woirgard, Eric.
Publisher	S. l. : Bordeaux 1,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French
Source	En accès libre sur Internet