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INJECTION DE FAUTES SIMULANT LES EFFETS DE BASCULEMENT DE BITS INDUITS PAR RADIATION

Obtenir une estimation du taux d'erreurs induit par les phénomènes de basculement de bit (soft error<br />rate, SER) des équipements électroniques est d'un intérêt grandissant. Les standards publiés traitent principalement de la qualification des circuits de type mémoire. Il n'y a pas d'accord sur les méthodes de qualification des microprocesseurs. Dans ce contexte, cette thèse s'attache à définir une méthodologie permettant de prédire le SER d'un processeur à l'aide d'une approche en trois étapes: 1) En définissant une méthode de test sous radiation permettant d'obtenir de façon précise la sensibilité du circuit au rayonnement ionisant; 2) En présentant une analyse détaillée des mesures, dont le but est d'extraire un modèle statistique d'un test accéléré; 3) En utilisant cette empreinte statistique pour reproduire à l'aide d'injection de fautes le comportement du circuit étudié afin de prédire le comportement d'une application quelconque exécutée par le processeur.

Identiferoai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00011494
Date14 November 2005
CreatorsFaure, F.
Source SetsCCSD theses-EN-ligne, France
LanguageFrench
Detected LanguageFrench
TypePhD thesis

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