Ce travail développe une approche globale du problème de l'interface entre une solution électrolytique et un semiconducteur doté d'une densité d'impuretés ionisables élevée (environ 10²º/cm³). L'épaisseur réduite de la zone de charge d'espace, l'influence de la couche d'Helmhotz et l'existence de niveaux profonds sont étudiées. Une expression très générale de la capacité de charge d'espace en présence de niveaux profonds est établie. Cette approche est appliquée au cas de l'oxyde de nickel lithiné Li<sub>x</sub>Ni<sub>1-x</sub>O et conduit à une explication originale du comportement de l'interface.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-01069887 |
| Date | 10 June 1987 |
| Creators | Bigot, Jean-Pierre |
| Publisher | Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | fra |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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