Orientador: Jose Alexandre Diniz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:09:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Manera_GleisonAllan_M.pdf: 6268703 bytes, checksum: 474f767862a4357997c32f81da7811ca (MD5)
Previous issue date: 2004 / Resumo: Esta dissertação descreve a obtenção e a caracterização de ultra-finos (5 à 0,5 nm) de oxinitreto de silício (SiOxNy) através da oxidação e/ou nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medida que aumentam os níveis de integração e de complexidade dos atuais dispositivos e circuitos eletrônicos com dimensões menores que 100 nm. Os filmes foram caracterizados por elipsometria, por espectrometria de absorção do infra-vermelho (FTIR) e por microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os plasmas ECR serão caracterizados por espectroscopia por emissão óptica (OES). A caracterização elétrica será executada por medidas de capacitância x tensão (C-V) e de corrente x tensão (I-V). Para aplicação como dielétrico ultra-fino de porta dos atuais transistores com estrutura MIS, os filmes finos deverão apresentar espessuras equivalentes de óxido menores que 5 nm, ligações Si-O e Si-N que confirmam a formação do SiOxNy e densidade de corrente de fuga menores que 10A/cm2 / Abstract:This dissertation describes the formation and the characterization of ultra-thin (5 à 0,5 nm) silicon oxynitride (SiOxNy) films, through the oxidation and/or nitridation by high density ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma. The interest in these insulator films and in this technology, which allows reduce thermal stress on the wafer, grows with the increase of the integration levels and the complexity of the current devices and electronic circuits with dimensions sub-100 nm The films will be characterized by ellipsometry, infra-red spectrometry (FTIR) and ransmission electron microscopy (TEM). The ECR plasmas are going to characterize by optical emission spectroscopy (OES). The electrical characterization is going to be executed by capacitance x voltage (C-V) and the current x voltage (I-V) measurements. For application, as ultra thin gate dielectric of the current transistors with MIS structure, this films should present equivalent oxide thickness (EOT) smaller than to 5 nm, Si-O and Si-N bonds, which confirm the formation the SiOxNy, and gate leakage current densities smaller than 10A/cm2 / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261783 |
| Date | 21 May 2004 |
| Creators | Manera, Gleison Allan |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Diniz, José Alexandre, 1964-, Tatsch, Peter J., Doi, Ioshiaki, Filho, Sebastião Gomes dos Santos |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | 86f. : il., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0027 seconds