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Crescimento e caracterização de ligas semicondutoras III-V obtidas pelo metodo dos organometalicos (MOVPE)

Orientador: Bernard Waldman / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:20:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1991 / Resumo: Apresentamos neste trabalho os aspectos mais importantes da técnica MOVPE com ênfases na construção do sistema, no crescimento de camadas epitaxiais e na caracterização destes. Relataremos a utilização de dois sistemas: um que participamos do projeto e construção e operamos à pressão atmosférica e o aprimoramento e utilização de um outro sistema que funciona a baixa pressão. Nos sistemas acima citados obtivemos materiais básicos e estruturas quânticas de: GaAs, GaAlAs, InP, GaInAs, AlGaInAs e GaInAsP, estruturas estas que possuem o mesmo parâmetro de rede que o substrato. Obtivemos também estruturas tensionadas do tipo GaInAs/GaAs, onde o substrato e as camadas possuem parâmetros de rede diferentes. A qualidade destes crescimentos foi avaliada através de várias técnicas de caracterização como fotoluminescência, efeito Hall, ataques químicos, microscopia óptica e eletrônica, AES, TEM, SIMS, etc. Estruturas de dispositivos laser de GaAs/GaAlAs e AlGaAs/InP também serão apresentadas. A parte inicial deste trabalho é dedicada à descrição de vários métodos de crescimento e à comparações entre eles. Em seguida apresentamos o projeto, construção e utilização do sistema MOVPE. Nos capítulos seguintes serão apresentadados o crescimento e caracterização de camadas binárias, ternárias e quaternárias; incluindo no capítulo IV a solução do problema de flutuação de composição, reportada na literatura mas sem que tenha sido encontrada a causa real desta. No Anexo 1 apresentamos a literatura publicada ou apresentada durante o trabalho de lactação desta tese / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/260655
Date20 June 1991
CreatorsSacilotti, Marco Antonio
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Waldman, Bernard
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Format157f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
Relation(Publicação FEE)

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