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Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid

Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep
Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar
N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs
wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch
tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem,
undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-199700176
Date28 March 1997
CreatorsHellig, Kay
ContributorsTU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften
PublisherUniversitätsbibliothek Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:StudyThesis
Formatapplication/pdf, application/postscript, text/plain, application/zip

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