Évaluation du processus technologique et des performances de diodes électroluminescentes GaP : N réalisées par implantation ionique de zinc et encapsulation par film d'aluminium.

Description

Th. 3e cycle--Électronique, électrotech., autom.--Toulouse 3, 1978. N°: 2184.

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1. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb36079209g

Tags

semiconducteur. diode.

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/464856981
Date	January 1900
Creators	Guerre, François-Xavier,
Publisher	[S.l. : s.n.,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French