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Um monitor do estado de carga da bateria de dispositivos eletrônicos implantáveis

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-22T12:24:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1
237658.pdf: 2022259 bytes, checksum: 9be37e928b78385096008eef80d90552 (MD5) / This work proposes a system, of very low power consumption, able to monitor the remaining charge of the batteries used in implantable electronic devices through voltage and impedance analysis. The system contains a sample-and-hold circuit and a Gm-C active filter. This filter is composed by OTA amplifiers using series and parallel association of transistors. Besides, the system contains level-shift circuits that condition the signal for the range of the A/D converter (0 V to 1.25 V). Each block was developed using analog techniques and the ACM MOSFET model, which allows for a good trade-off between area end power consumption. The system functionality was verified through simulation and through prototypes implemented on the TSMC 0.35 ìm and AMS 0.35 ìm technologies.

O presente trabalho propõe um sistema de baixíssimo consumo, capaz de monitorar a carga remanescente de baterias utilizadas em dispositivos eletrônicos implantáveis através da medida da tensão e da impedância das mesmas. O sistema é composto por um circuito sample and hold seguido por um filtro ativo Gm-C. Tal filtro é composto por amplificadores OTA conciliando técnicas de associação série e paralelo de transistores. Além destes, o sistema possui deslocadores de nível que condicionam a excursão do sinal para uma faixa de conversão do conversor A/D de 0 V a 1,25 V. Cada bloco foi desenvolvido conciliando técnicas analógicas às equações do modelo ACM do MOSFET, possibilitando assim, através de equações simples, estabelecer um bom compromisso entre área e consumo adequados ao projeto. A funcionalidade do sistema bem como de cada
bloco foi testada sob forma de simulação e comprovada através de protótipos implementados nas tecnologias TSMC 0.35 µm e AMS 0.35 µm.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufsc.br:123456789/88685
Date January 2006
CreatorsMachado, Márcio Bender
ContributorsUniversidade Federal de Santa Catarina, Schneider, Márcio Cherem
PublisherFlorianópolis
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Formatxiv, 68 p.| il., grafs., tabs.
Sourcereponame:Repositório Institucional da UFSC, instname:Universidade Federal de Santa Catarina, instacron:UFSC
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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