Der epitaktische Lift-off als Methode, elektrische- und optische Eigenschaften in III-V-Halbleiter-Strukturen zu beeinflussen

Description

Universiẗat, Diss., 2002--München.

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1. http://edoc.ub.uni-muenchen.de/archive/00000188/
2. http://deposit.d-nb.de/cgi-bin/dokserv?idn=965817644
3. http://edoc.ub.uni-muenchen.de/archive/00000188/01/Boehm_Stefan.pdf

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/614930615
Creators	Böhm, Stefan.
Source Sets	OCLC
Language	German
Detected Language	German
Type	Online-Publikation.