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Espalhamento magneto-Raman ressonante em semicondutor polar

Orientador: Roberto Luzzi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T05:44:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1977 / Resumo: Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de ciclotron ( wc ) é aproximadamente igual a frequência da radiação incidente ( wl ) e daquela espalhada ( ws ). Para isso desenvolvemos um tratamento teórico onde, através de um. formalismo de matriz S e técnicas de propagadores no espaço dos momentos determinamos a Intensidade Integrada de espalhamento e a vida média dos estados eletrônicos.
Completamos o trabalho com uma aplicação ao caso Específico do InSb onde discutimos uma série de pontos interessantes. Não são incluídos efeitos de temperatura / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277122
Date15 July 1977
CreatorsSampaio, Antonio Jose da Costa
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Luzzi, Roberto, 1936-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format54 f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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