Etude et réalisation de diodes laser Ga-Al-As à double hétérojonction émettant dans le spectre visible

Description

EVALUATION DES CONDITIONS DE FAISABILITE DE DIODES LASER A SEMICONDUCTEUR GaAlAs EMETTANT DANS LE SPECTRE VISIBLE. ESTIMATION DE LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION MINIMALE REALISABLE AVEC DE TELS DISPOSITIFS

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Tags

LASER SEMICONDUCTEUR

ALUMINIUM GALLIUM ARSENIURE MIXTE

RAYONNEMENT VISIBLE

HETEROJONCTION DOUBLE

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00181398
Date	31 January 1983
Creators	Bensoussan, Alain
Publisher	INSA de Toulouse
Source Sets	CCSD theses-EN-ligne, France
Language	French
Detected Language	French
Type	PhD thesis