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Untersuchung von pseudomorphen InGaAs/InAlAs/InP-high-electron-mobility-Transistoren im Hinblick auf kryogene Anwendungen

Techn. Hochsch., Diss., 2002--Aachen.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/175161159
CreatorsTönnesmann, Andres.
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman

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