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Elektrische Charakterisierung von Stòˆrstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie

Universit̀ˆat, Diss., 2004--Jena.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/179708002
CreatorsAlbrecht, Fanny.
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
TypeOnline-Publikation.

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