Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Isolationszuverlässigkeit und Lebensdauermodellierung für die Gehäusekonstruktion von Halbleitersensoren. Bei den untersuchten Gehäusekonstruktionen handelt es sich insbesondere um Stromsensoren, die auf der Messung des Magnetfeldes eines stromdurchflossenen Leiters basieren. Dabei werden spannungsinduzierte Fehlermechanismen und ihre Auswirkung innerhalb des Sensors diskutiert und ein Lebensdauermodell für den Sensor beschrieben, das auf dem Fehlermechanismus der anodischen Oxidation basiert.:1 THEORETISCHE GRUNDLAGEN DER SENSORKONSTRUKTION
1.1 Grundlagen der Isolationskoordination
1.2 Grundlagen der Sensorkonzeption
1.3 Stand der Technik
1.4 Aufgaben für die Gehäuseentwicklung
2 SPANNUNGSINDUZIERTE FEHLERMECHANISMEN
2.1 Teilentladung
2.2 Dielektrischer Durchbruch
2.3 Chemische Umsetzung von Si
2.4 Migrationsmechanismen
2.5 Leckstrom
3 LEBENSDAUERMODELLIERUNG
3.1 Beschleunigte Alterung
3.2 Modellfunktion für die Lebensdauer
3.3 Lebensdauerkalkulationen
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:32692 |
| Date | 14 January 2019 |
| Creators | Schaller, Rainer Markus |
| Contributors | Rzepka, Sven, Rzepka, Sven, Wiese, Steffen, Technische Universität Chemnitz, Infineon Technologies AG, Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | German |
| Detected Language | German |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, doc-type:doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, doc-type:Text |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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