Konzepte zur lithographieunabhängigen Skalierung von vertikalen Kurzkanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren und deren Bewertung

Description

Bochum, Univ., Diss., 2001. / URN: urn:nbn:de:hbz:294-4177.

Links & Downloads

1. http://www-brs.ub.ruhr-uni-bochum.de/netahtml/HSS/Diss/SchulzThomas/diss.pdf
2. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=96385108X

Tags

n-Kanal-FET

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/314322897
Date	January 2001
Creators	Schulz, Thomas.
Publisher	[S.l. : s.n.],
Source Sets	OCLC
Language	German
Detected Language	German