At the division of Material Physics at KTH an angle resolved photoemission spectrometer (ARPES) is being built. This system uses a pulsed laser to create ultraviolet light through higher harmonic generation. The laser has a high output effect which puts the optical components of the system under a large heat load. This thesis investigates the use of silicon carbide (SiC) as a possible material for use in the system. A diffraction grating is modelled and then processed by use of photolithography and plasma etching. This is then characterized by different methods, finally in its working environment. It is concluded that silicon carbide is a plausible material for use in the ARPES system. / Vid avdelningen för materialfysik vid KTH håller en laserbaserad vinkelupplöst fotoemissionsspektrometer på att byggas upp. Denna använder ultraviolett ljus för att excitera fotoelektroner som sedan detekteras genom time of flight. Ljuskällan som ger UV-fotonerna är en pulsad laser som ger en hög effekt, vilket ställer krav på att alla optiska komponenter i systemet skall klara en hög värmelast. I detta examensarbete undersöks om kiselkarbid (SiC) uppfyller dessa krav. Modellering av ett diffraktionsgitter görs, och resultatet av detta ger vägledning under processningen av gittret. Gittret tillverkas med hjälp av fotolitografi och plasmaetsning av en kiselkarbidwafer. Denna karakteriseras sedan med olika metoder och finns fungera bra för sitt ändamål.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:UPSALLA1/oai:DiVA.org:kth-207855 |
| Date | January 2010 |
| Creators | Östlin, Andreas |
| Publisher | KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT) |
| Source Sets | DiVA Archive at Upsalla University |
| Language | English |
| Detected Language | Swedish |
| Type | Student thesis, info:eu-repo/semantics/bachelorThesis, text |
| Format | application/pdf |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | TRITA-ICT-EX ; 2010:98 |
Page generated in 0.0158 seconds