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Energia interfacial e interface de crescimento em sistemas cristal-melt

Orientador: Boyan Mutaftschiev / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:18:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1981 / Resumo: A validade do "método da bolha" é discutido quanto à sua aplicabilidade em medidas do ângulo de contato entre um cristal e seu próprio banho fundido bem como para a observação da morfologia da interface de crescimento em cristais halogenetos alcalinos puxador do "melt".
A energia livre interfacial é determinada a partir dos ângulos de contato para cristais de KCl, NaCl e ligas destes dois sais.
A observação das Interfaces de crescimento de KCl puro, usando microscopia eletrônica e decoração com ouro mostrou que o "melt" pode ser completamente retirado de superfícies {100}. Crescimento ocorre por nucleação bidimensional e espalhamento de frentes de crescimento. As interfaces são sempre limitadas por superfícies {100}.
Observou-se que cristais mistos de KCl e NaCl apresentavam interfaces mais rugosas do que as dos sais puros. Em alguns casos cristalitas com facetas {110} {111} e {11l} apareciam na interface.
Crescimento a partir de deslocações "screw" e o mecanismo de espiral não foi detectado em cristais puros e não desempenha papel preponderante mesmo em cristais mistos onde algumas deslocações "screw" foram observadas emergindo na Interface / Abstract: The validity of the "bubble method" is discussed for the measurements of contact angles between a crystal and its own melt and for the observation of the microscopic morphology of growth interfaces for alkali halide crystals grown from the melt.
Values of specific free energy of the crystal melt interface, gSL, are calculated from measurements of contact angles for KCI , NaCl and alloys of these salts.
Observation of growth interfaces of pure KCI crystals, using electron microscopy and gold decoration, show that the melt can be completely removed from {100} surfaces. Growth occurs by two dimensional nucleation and by speading of monoatomic or biatomic growth fronts. Interfaces are always limited by {100} surfaces.
Mixed crystals of KCI and NaCI tended to have rougher interfaces. In some cases, crystallites with {110}, {111} and {11l} facets appeared at the interface. Dislocation induced spiral growth was not detected at the interfaces of pure crystals and does not play a preponderant role even in mixed crystals where some screw dislocations could be observed immerging at the interface / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277437
Date23 July 1981
CreatorsLanders, Richard, 1946-
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Mutaftschiev, Boyan, 1932-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguageEnglish
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Format193f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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