Détermination de la cinétique des porteurs en excès dans une plaquette silicium par une technique d'injection photonique et réalisation d'une structure microbande.

Description

Th. doct.-ing--Semiconducteurs--Toulouse--I.N.P., 1980. N°: 111.

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1. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb36090892r

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/464933182
Date	January 1980
Creators	Kwack Kae-Dal.
Publisher	[S.l.],
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French