Etude des effets parasites sur les caracteristiques de sortie des diodes Schottky et transistors MESFETs à base de SiC et contribution des défauts profonds

Description

Thèse docteur-ingénieur : Physique de la matière: INSA LYON : 2001. / Thèse : 2001ISAL0046. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.135-144.

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1. http://csidoc.insa-lyon.fr/these/2001/sghaier/index.html

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Matière condensée

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/491240864
Date	January 2002
Creators	Sghaier, Nabil. Guillot, Gérard
Publisher	Villeurbanne : Doc'INSA,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French