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Desenvolvimento de uma memória associativa estocástica utilizando transistores mono-elétron

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2006. / Submitted by Thaíza da Silva Santos (thaiza28@hotmail.com) on 2011-02-12T14:29:07Z
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2006_HelenCarvalhoCarmo.pdf: 2895894 bytes, checksum: ae5d45114411d242b5229f010e0f939d (MD5) / Neste estudo realizou-se, pela primeira vez, o projeto de uma memória associativa estocástica, através da conexão de blocos de circuitos com funções específicas utilizando somente transistores mono-elétron. A viabilidade da conexão de blocos, integrando sistemas é demonstrada apresentando uma metodologia de projeto para a realização de sistemas nanoeletrônicos, utilizando o conceito hierárquico na composição dos circuitos. A funcionalidade do sistema formado pela memória associativa foi verificada a partir de simulações parciais e integrais do sistema, com ferramenta CAD profissional .
_________________________________________________________________________________ ABSTRACT / In this study the design of an stochastic associative memory, based upon single-electron transistors, was, for the first time, carried out. An hierarchical design methodology, suitable for single-electron circuit conception was also devised in this work. The associative memory circuit design’s performance was validated using professional electrical simulators.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unb.br:10482/6894
Date01 December 2006
CreatorsCarmo, Helen Carvalho do
ContributorsCosta, José Camargo da
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Repositório Institucional da UnB, instname:Universidade de Brasília, instacron:UNB
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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