L'effort principal de la première partie de cette thèse est concentré sur le développement de capteurs de pH-ISFET en technologie peu coûteuse et non modifiée de 0.6um CMOS (AMS). La recherche comprend une étude de faisabilité, la conception, la fabrication, et la caractérisation complète de sensibilité pH. Un des aspects principaux de la fiabilité du capteur d'ISFET est sa mise en boîtier. Plusieurs structures d'ISFET ont été conçues, fonctionnent et donnent des résultats exploitables. La contribution de bruit d'ISFETs <br />commerciaux, aussi bien que des nouveaux capteurs de pH conçus, est étudiée et mesurée. A la fin de la première partie, deux interfaces de capteurs ISFET sont présentées. Le but de la deuxième partie de cette thèse est d'étudier des inductances planaires suspendues à fort facteur de qualité Q pour des applications analogiques RF. Nous présentons des études, les calculs et la conception d'inductances suspendues sur puce <br />développées dans une technologie CMOS 0.8um (AMS). L'architecture de conception novatrice proposée maximalise le facteur de qualité Q. Les inductances suspendues peuvent être placées verticalement <br />au-dessus du substrat, et ainsi les effets parasites de substrat sont considérablement réduits. Les inducteurs passifs conçus ont des valeurs de 1nH à 7nH. Le facteur Q plus grand que dix est estimé à partir des calculs, et il est vérifié expérimentalement par des mesures de paramètres S.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00003085 |
| Date | 01 March 2002 |
| Creators | Palan, B. |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | English |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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