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Herstellung von lateral strukturierten zweidimensionalen Elektronengasen durch Überwachsen von implantationsdotiertem AlxGa1-xAs

Bochum, Univ., Diss., 2004. / Computerdatei im Fernzugriff.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/637434892
Date January 2004
CreatorsRiedesel, Christof.
Publisher[S.l.] : [s.n.],
Source SetsOCLC
LanguageUndetermined
Detected LanguageGerman

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