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Herstellung von lateral strukturierten zweidimensionalen Elektronengasen durch Überwachsen von implantationsdotiertem AlxGa1-xAs

Bochum, Universiẗat, Diss., 2004.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/76734240
Date January 2004
CreatorsRiedesel, Christof.
Publisher[S.l. : s.n.],
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
SourceLF

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