Neste trabalho so apresentadas as medidas do coeficiente de multiplicao gasosa (α) no isobutano puro obtidas com uma cmara de placas paralelas protegida contra descargas por um eletrodo de vidro (anodo) de elevada resistividade (ρ = 2 x 1012.cm). O mtodo empregado foi o de Townsend pulsado, onde a ionizao primria produzida pela incidncia de um feixe de laser de nitrognio em um eletrodo metlico (catodo). As correntes eltricas medidas com a cmara operando em regime de ionizao e de avalanche foram utilizadas para o clculo do coeficiente de multiplicao gasosa pela soluo da equao de Townsend para campos eltricos uniformes. A tcnica utilizada foi validada pelas medidas do coeficiente de multiplicao gasosa no nitrognio, um gs amplamente estudado, e para o qual se tem dados bem estabelecidos na literatura. Os coeficientes de multiplicao gasosa do isobutano foram medidos em funo do campo eltrico reduzido no intervalo de 139Td a 208Td. Os valores obtidos foram comparados com os simulados pelo programa Imonte (verso 4.5) e com os nicos dados existentes na literatura, recentemente obtidos pelo nosso grupo. Esta comparao demonstrou que os resultados so concordantes dentro dos erros experimentais. / In this work it is presented measurements of gaseous multiplication coefficient (α) in pure isobutane obtained with a parallel plate chamber, protected against discharges by one electrode (anode) of high resistivity glass (ρ = 2 x 1012.cm). The method applied was the Pulsed Townsend, where the primary ionization is produced through the incidence of a nitrogen laser beam onto a metallic electrode (cathode). The electric currents measured with the chamber operating in both ionization and avalanche regimes were used to calculate the gaseous multiplication coefficient by the solution of the Townsend equation for uniform electric fields. The validation of the technique was provided by the measurements of gaseous multiplication coefficient in pure nitrogen, a widely studied gas, which has well-established data in literature. The coefficients in isobutane were measured as a function of the reduced electric field in the range of 139Td up to 208Td. The obtained values were compared with those simulated by Imonte software (version 4.5) and the only experimental results available in the literature, recently obtained in our group. This comparison showed that the results are concordant within the experimental errors.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:teses.usp.br:tde-10082011-102711 |
| Date | 15 March 2010 |
| Creators | Iara Batista de Lima |
| Contributors | Carmen Cecília Bueno Tobias, Josemary Angélica Corrêa Gonçalves, Marcos Nogueira Martins |
| Publisher | Universidade de São Paulo, Tecnologia Nuclear, USP, BR |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | English |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Source | reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP, instname:Universidade de São Paulo, instacron:USP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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