Return to search

Alternativní přístupy přípravy tenké vrstvy nitridu hliníku pomocí metody depozice atomárních vrstev / Alternative approaches for Preparation of AlN Nanolayers by Atomic Layer Deposition

Nitrid hliníku (AlN) je slibný polovodivý materiál s velkou mezerou v pásu. Tenké filmy AlN nacházejí uplatnění v různých elektronických a optoelektronických zařízeních. V první řadě je cílem výzkumu prezentovaného v rámci této disertační práce představit nové prekurzory do procesu ALD pro depozici tenkých vrstev AlN. Navrhované prekurzory jsou lepší než tradiční prekurzory buď v nákladové efektivnosti nebo reaktivitě. Část disertační práce je věnována prohloubení porozumění chemickým procesům, které probíhají během a po depozici. V tomto ohledu bylo navrženo pracovní řešení ke zlepšení chemického složení výsledných filmů a ke zmírnění nedostatků, například oxidace. Dalším důležitým aspektem této studie je důkladná analýza fenoménu vodíku v tenkých vrstvách AlN ALD. Vodíkové nečistoty byly zkoumány pomocí přesných a pokročilých technik patřících do skupin analýzy iontovým paprskem (IBA).

Identiferoai:union.ndltd.org:nusl.cz/oai:invenio.nusl.cz:454037
Date January 2021
CreatorsDallaev, Rashid
ContributorsKrčma, František, Kolařík, Vladimír, Sedlák, Petr
PublisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Source SetsCzech ETDs
LanguageEnglish
Detected LanguageUnknown
Typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess

Page generated in 0.0019 seconds