Organic field-effect transistors (OFETs) are essential devices for the realization of novel electronic applications based on organic materials. Recent years have brought tremendous improvements regarding the organic semiconductor (OSC) with charge carrier mobilities around 10 cm²/Vs. Yet, several challenges are needed to be addressed in order to enable technologies of the future that are based on high-performance organic transistors. In this work, C8-BTBT, a high-mobility material that has gained increasing interest in the last few years, is used to prepare films with state-of-the art charge-carrier mobility and above. For this purpose, the solution-shearing method—a meniscus-guided technique that is capable to produce highly aligned, crystalline films—is applied. Based on these charge-transport layers with an estimated intrinsic mobility of up to 12 cm²/Vs, several strategies towards their exploitation for high-performance organic transistors are investigated. Among the relevant parameter, channel length, contact resistance and gate dielectric capacitance are the three aspects that are addressed. The solution-shearing method is further applied to the realization of solution-deposited polymer dielectrics. High-capacitance films with maximum values of about 280 nF/cm² are fabricated and used to produce low-voltage OFETs that can operate at -1V. In order to increase the devices’ transconductance, a novel patterning methodology to achieve sub-micrometre channel lengths is investigated. Using this technique, working devices with a channel length of 500 nm are shown. The compatibility of this process with the solution-shearing method for the fabrication of high-performance semiconducting and gate dielectric films is one of its major advantages. One of the limiting device parameters is the contact resistance as is clearly observable by the restricted current scaling that is observed for lower channel length. Hence, the interface of OSC and source/drain contacts is investigated. Even though an ultimate solution for very low contact resistance remains to be developed, important aspects for its further enhancement are deduced in this work. As an important first experimental result, this thesis describes a short-channel device architecture that is compatible with solution-shearing of high-performance films with its full potential yet to be explored in future work. / Organische Feld-Effekt Transistoren (OFETs) sind grundlegende Bestandteile für die Entwicklung neuerartiger Technologien auf der Basis von organischen Halbleitermaterialien. Insbesondere während der letzten Jahre haben diese Materialien einschlägige Verbesserungen erfahren und erreichen heute Ladungsträgermobilitäten um die 10 cm²/Vs. Um dies für die Umsetzung neuartiger Technologien zu nutzen, müssen jedoch noch einige Herausforderungen überwunden werden. Diese Arbeit leistet einen Beitrag in diese Richtung. Unter Anwendung eines der wohl populärsten Halbleitermaterialien der letzen Jahre mit der chemischen Bezeichnung C8-BTBT, wird die Herstellung von hochqualitativen Halbleiterfilmen mittels Flüssigprozessierung gezeigt. Mit der sogenannten „Solution-Shearing“ Methode – eine Abscheidetechnik, die über die Kontrolle eines trocknenden Meniskus hochkristalline und ausgerichtete Schichten erzeugen kann – ist es möglich Dünnschichtbauelemente mit abgeschätzten, intrinsischen Ladungsträgermobilitäten von bis zu 12 cm²/Vs zu erzeugen. Um diese hoch-qualitativen Filme für die Herstellung von leistungsfähigen Transistoren zu nutzen, werden mehrere relevante Parameter betrachtet, darunter die Kanallänge, der Kontaktwiderstand und das Gate-Dielektrikum. Im Speziellen wird die Abscheidung des Dielektrikums mittels der „Solution-Shearing“ Methode untersucht. Es kann gezeigt werden, dass dies für die Herstellung von qualitativ hochwertigen Filmen mit Kapazitäten bis zu 280 nF/cm² genutzt werden kann. Angewendet in OFETs erlauben diese Schichten den Betrieb bei sehr geringen Spannungen von -1V. Um die Transkonduktanz der Transistoren zu erhöhen wird zudem eine mit der „Solution-Shearing“ Methode kompatible Source/Drain-Strukturierungsmethode untersucht. Diese ermöglicht Kanallängen unter einem Mikrometer und konnte hier für die Herstellung von funktionierenden Transistoren mit einer Kanallänge bis zu nur 500 nm angewendet werden. Eine der limitierenden Transistorkenngrößen ist der Kontaktwiderstand, wie durch die abweichende Skalierung des Stromes mit verringerter Kanallänge deutlich wird. Aus diesem Grund wurde auch die Grenzfläche zwischen Halbleiter und Source/Drain-Kontakten näher untersucht. Allerdings verbleibt die Entwicklung einer effektiven Methode zur Reduzierung des Kontaktwiderstandes ein Projekt für zukünftige Untersuchungen, auch wenn die vorliegende Arbeit einige wichtige Anhaltpunkte für mögliche Strategien liefert. Als wichtiges erstes Resultat liefert die vorliegende Arbeit eine Beschreibung zur Herstellung funktionsfähiger Kurzkanal-OFETs mittels „Solution-Shearing“, deren volles Potential aber in der Zukunft weiter untersucht werden muss.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:74600 |
| Date | 26 April 2021 |
| Creators | Haase, Katherina |
| Contributors | Mannsfeld, Stefan, Genoe, Jan, Technische Universität Dresden |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | English |
| Detected Language | English |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, doc-type:doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, doc-type:Text |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0021 seconds