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Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos/

Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:sofia.fei.edu.br:perga-oai/128429
Date January 2016
CreatorsNascimento, A. S.
ContributorsGiacomini, Renato Camargo
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, instname:Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana, instacron:FEI
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
RelationDisponível também em versão on-line

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