The G-center has recently been identified as the first deterministic single-photon punctual emitter isolated in silicon. This discovery is of great interest for largescale quantum technologies, due to the abilities of silicon in terms of integration and scalability. However, the spontaneous emission rate of the G-center still needs to be controlled in order to engineer a useful Single-Photon Source. This could be achieved by incorporating a single G-center in resonant microcavities to benefit from the Purcell effect. As a first step in this direction, we have studied in this project micro-cavities containing an ensemble of G-centers, more precisely Si micro-disks and micro-rings on oxide, with several objectives: the evaluation of the quality factor of micro-cavities containing G-centers, the demonstration of an optical activity of G-centers after the processing of the silicon micro-structures, and the evaluation of their potential as gain medium for integrated microlasers on SOI. The observation of bright photoluminescence from G-centers and of resonant cavity modes with Q’s in the few thousands range confirms the compatibility of G-centers with standard silicon processing steps, and is encouraging for future quantum optics experiments on isolated G centers in micro-cavities. Our results also tend to show that gain may be available in the material, but residual absorption still needs to be decreased to achieve lasing. / G-center har nyligen identifierats som den första determinitiska ponctual enfoton källen isolerad i kisel. Denna upptäckt är av stort intresse för kvantteknologier p.g.a. kisels förmåga gällande integration och skalbarhet. G-centers spontana rekombinationshastighet behöver dock kontrolleras för att skapa en användbar enfoton källa. Det kan göras genom Purcell-effekten i en optisk resonator. Som ett första steg har vi studerat mikroresonatorer som innehåller G-center i det presenterade projektet, med flera mål: utvärdering av kvalitetsfaktor för mikroresonatorer som innehåller G-center, demonstration av optisk aktivitet av G-center efter tillverkning av kiselmikrostrukturer, och utvärdering av deras potential för integrerade mikrolaser på SOI. Observation av stark fotoluminescens av G-center och resonatormoder med stor-Q bekräftar kompatibilitet mellan G-center och vanliga steg för bearbetning av kisel, och är uppmuntrande för framtida Kvantum Optik experimenter med isolerade G-center i mikroresonatorer. Resultaten visar att ljusförstärkning troligtvis börjar, men absorption av andra defekter måste minskas för att uppnå laserregim.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:UPSALLA1/oai:DiVA.org:kth-292757 |
| Date | January 2021 |
| Creators | Lefaucher, Baptiste |
| Publisher | KTH, Tillämpad fysik |
| Source Sets | DiVA Archive at Upsalla University |
| Language | English |
| Detected Language | English |
| Type | Student thesis, info:eu-repo/semantics/bachelorThesis, text |
| Format | application/pdf |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | TRITA-SCI-GRU ; 2021:025 |
Page generated in 0.0027 seconds