Return to search

Propriedades ópticas de pontos quânticos acoplados com gás de portadores / Optical properties of quantum dots coupled with carriers gas

Orientador: José Antônio Brum / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-28T23:45:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Andriolo_HelderFaria_M.pdf: 2066347 bytes, checksum: c0835c5528aa09df816a2dfb45249e5f (MD5)
Previous issue date: 2015 / Resumo: Nesse trabalho estudamos um sistema de GaAs/In_{0.27}Ga_{0.73} As/Al_{0.3}Ga_{0.7}As, intencionalmente dopado com material do tipo-n, em que ocorre a transferência de elétrons, provenientes da dopagem, para o poço quântico de In_{0.27}Ga_{0.73}As, formando um gás de elétrons bidimensional no poço. A seguir o efeito da introdução de pontos quânticos auto-organizados de InAs na estrutura foi analisado. Nossos resultados mostram uma pequena mudança no perfil de potencial da estrutura. O que ocorre após a introdução dos pontos quânticos é, basicamente, uma redistribuição dos elétrons, que agora passam a ocupar o poço quântico e o ponto quântico. Estudamos também as propriedades ópticas, espectros de absorção e emissão, de pontos quânticos acoplados com gás de portadores. Para isso foi necessário estabelecer um método na qual discretizamos o contínuo de níveis energéticos do gás de portadores (elétrons), o método através da cadeia de Wilson foi o utilizado nos cálculos, embora outros dois métodos também tenham sido mostrados. Introduzimos, por fim, um íon de manganês no centro do ponto quântico e calculamos espectros de emissão desse sistema com os níveis do gás elétrons discretizados através da cadeia de Wilson / Abstract: In this work, we study a GaAs/In_{0.27}Ga_{0.73}As/Al_{0.3} Ga_{0.7}As system intentionally doped n-type material, which occurs a transfer of electrons from the doping into In_{0.27}Ga_{0.73}As quantum well, forming a two-dimensional electron gas in the well. Next, the effect of introducing self-assembled InAs quantum dots in the structure was analyzed. Our results show little change in potential profile of the structure. What happens after the introduction of quantum dots is basically a redistribution of electrons, that now occupy the quantum well and quantum dot. We also studied the optical properties, absorption and emission, of quantum dots coupled with carrier gas. This required establishing a method in which discretize the continuous energy levels of the carrier gas (electrons), the method by Wilson chain was used in the calculations, although other two methods also have been shown. Introduced, finally, a manganese ion in the center of the quantum dot, and we calculated emission spectra of this system, with the electron gas levels discretized by Wilson chain / Mestrado / Física / Mestre em Física / 131432/2013 / 2013/25371-1 / CNPQ / FAPESP

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/276923
Date28 August 2018
CreatorsAndriolo, Helder Faria, 1991-
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Brum, José Antonio, 1959-, Rocha, Alexandre Reily, Pirota, Kleber Roberto
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format81 f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

Page generated in 0.0023 seconds