Le carbure de silicium est un des materiaux envisages pour des applications nucleaires tels que les reacteurs a fission de 4eme generation et les reacteurs a fusion. Dans ce cadre, le SiC serait soumis a des conditions extremes de temperatures et d'irradiation ainsi qu'a la presence de gaz issus des produits de fission ou d'activation qui necessitent de comprendre comment les proprietes physiques du SiC pourraient evoluer. Dans le present travail nous nous sommes attaches a etudier les phenomenes se deroulant a l'echelle atomique qui modifient la microstructure et peuvent degrader les proprietes macroscopiques. La premiere partie de cette these est consacree a la caracterisation de l'endommagement et notamment des defauts lacunaires crees dans le SiC par irradiation avec des ions lourds a differentes energies et differentes fluences au moyen de la spectroscopie d'annihilation de positons (PAS) complete par la spectrometrie Raman. Les resultats de cette etude mettent en evidence que l'importante perte d'energie electronique associee aux irradiations avec des ions lourds modifie la nature et la distribution des defauts en-dessous de 0.2 dpa. Au-dela, l'impact n'est pas visible. Pour un endommagement a fort dpa en regime de collisions elastiques, l'amorphisation peut etre atteinte. Elle se caracterise par la formation de volumes libres equivalents a l'hexalacune. La deuxieme partie est consacree a l'etude de l'interaction de l'helium avec les defauts lacunaires dans des echantillons de SiC implantes He 50 keV a deux fluences. La distribution des defauts lacunaires etudiee par PAS evolue avec la temperature et deux stades d'evolution majeurs ont ete mis en evidence, celui a plus haute temperature depend de la fluence. Des mesures de thermodesorption ont montre que le second stade coincidait avec la desorption de l'helium. Enfin, des mesures de RBS et NRA en mode canalisee ont permis de localiser l'helium dans la maille cristalline et d'observer qu'une fraction migrait en quittant des sites interstitiels tetraedriques a une temperature correspondante au premier stade.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00717380 |
| Date | 15 February 2012 |
| Creators | Linez, Florence |
| Publisher | Université d'Orléans |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | fra |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
Page generated in 0.0017 seconds