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Herstellung und Charakterisierung von InAs-Quantenpunkten auf implantationsdotiertem GaAs (001)

Bochum, Universiẗat, Diss., 2003.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/76560205
Date January 2003
CreatorsSchafmeister, Peter.
Publisher[S.l. : s.n.],
Source SetsOCLC
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
SourceLF

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