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Previous issue date: 2005-03-24 / Financiadora de Estudos e Projetos / In this work, the technique Raman spectroscopy is used in order to study
InxGa1-xP films grown with different thickness on GaAs (001). Two sets of samples grown
by CBE (Chemical Beam Epitaxy) were analized: the first a GaAs buffer layer of 3000 Ǻ
and the second with an 1800 Ǻ buffer layer.
Concerning vibrational modes, it was possibleto conclude that for In
concentrations around 50 % this alloy has a two mode behaviour.
Polarized Raman spectra allowed to estimate the ordering degree of the
samples. It was possible to observe strong disorder for all of then, with 0,l26 ≤ η ≤ 0,443.
Photoluminescence measurements confirmed the disordering.
The stress, the lattice parameters and the concentrationsin the alloys were
obtained from the variations of the vibrational modes. The interdifusion of P atoms through
the GaAs buffer layer previously observed by X-Ray measurements was confirmed.
Finally, a comparative study showed that a sensible difference occur
between the vibrational modes of the alloys belonging to each set (with different buffer
layer thicknesses). Besides, the absorption coefficients, was also shown to be different for
each set. / Neste trabalho a técnica de espectroscopia Raman é utilizada para o
estudo de heteroestruturas semicondutoras finas com camadas de espessuras variáveis de
InxGa1-xP de rede cristalina casada à do substrato GaAs (001). As amostras forma crescidas
pela técnica de Epitaxia por Feixe Químico (CBE do inglês, Chemical Beam Epitaxy).
Dois conjuntos diferentes foram analisados, sendo o primeiro com camada buffer de 3000
Å e o segundo com 1800 Å.
A análise sobre os modos vibracionais desta liga permitiu concluir que
para concentrações de Índio próximas a 50 % ocorre o comportamento denominado a dois
modos .
Realizamos medidas de Raman polarizado para estimarmos o grau de
ordenamento de tais amostras. Pode-se observar uma forte desordem em todas as amostras
analisadas, com 0,l26 ≤ η ≥ 0,443. Medidas de Fotoluminescência também foram realizadas
confirmando o desordenamento.
A partir da variação das freqüências dos modos vibracionais foi feita uma
estimativa, através da análise das tensões, dos parâmetros de rede e das concentrações dos
elementos que compõem a liga InxGa1-xP de rede casada à do GaAs. Nesta análise
estudamos, ainda, a interdifusão de átomos de Fósforo na camada buffer formando a liga
GaAs:P. Este fenômeno também foi observado anteriormente, por medidas de raios-X nas
mesmas amostras.
Por fim, um estudo comparativo levou-nos a concluir que existe uma
sensível diferença entre os modos vibracionais das ligas de cada conjunto (com diferentes
espessuras da camada buffer ). Além disso os coeficientes de absorção, estimados através
da análise dos gráficos da razão das áreas sob a curva dos modos LO-GaAs e LO-GaP em
função da espessura do filme, também apresentam-se diferentes para cada conjunto de
amostras.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/4992 |
| Date | 24 March 2005 |
| Creators | Morais, Rômulo Ronan Oliveira de |
| Contributors | Galzerani, José Cláudio |
| Publisher | Universidade Federal de São Carlos, Programa de Pós-graduação em Física, UFSCar, BR |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFSCAR, instname:Universidade Federal de São Carlos, instacron:UFSCAR |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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