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Study on Resistive Switching Phenomenon in Metal Oxides for Nonvolatile Memory / 不揮発性メモリに向けた金属酸化物における抵抗スイッチング現象に関する研究

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第18285号 / 工博第3877号 / 新制||工||1595(附属図書館) / 31143 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 掛谷 一弘 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/188598
Date24 March 2014
CreatorsIwata, Tatsuya
Contributors木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 掛谷, 一弘, 岩田, 達哉, イワタ, タツヤ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf

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