Contribution à la modélisation des transistors à effet de champ en arséniure de gallium pour les circuits intégrés monolithiques microondes /

Description

Th. doct.-ing.--Paris--ENST, 1988. / Notes bibliogr.

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1. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb349588192

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/462005665
Date	January 1988
Creators	Lienhart, Marc-Yves.
Publisher	Paris : École nationale supérieure des télécommunications,
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French