Return to search

Modelování mikrovlnných polovodičových struktur / Modeling of Microwave Semiconductor Structures

Tato dizertační práce se zabývá modelováním mikrovlnných polovodičových struktur. Stále vyšší pracovní kmitočty komunikačních systémů zvyšují nároky na aktivní prvky a přenosová vedení, realizované zpravidla v monolitické integrované podobě. Přenosová vedení s rozprostřeným zesílením představují perspektivní řešení nejen jako zesilovací prvky, ale také jako aktivní napáječe mikrovlnných antén. V součastné době neexistuje vhodný softwarový nástroj pro jejich efektivní simulaci a návrh. První část této práce je zaměřena na implementaci termodynamické formulace modelu driftu a difuze pro numerickou simulaci transportních procesů polovodičových struktur v komerčním programu COMSOL Multiphysics. Další část je věnována implementaci Gunnova jevu v makroskopické aproximaci a vypracování simulační procedury pro analýzu struktur využívajících tento jev. Poslední část je věnována návrhu a analýze aktivních přenosových vedení a zlepšení jejich vlastností.

Identiferoai:union.ndltd.org:nusl.cz/oai:invenio.nusl.cz:233544
Date January 2011
CreatorsPokorný, Michal
ContributorsMazánek, Miloš, Voves, Jan, Raida, Zbyněk
PublisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Source SetsCzech ETDs
LanguageEnglish
Detected LanguageUnknown
Typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccess

Page generated in 0.0021 seconds