Return to search

Preparação de filmes policristalinos de GaN pela técnica de sputtering reativo a baixas temperaturas de substrato /

Orientador: José Humberto Dias da Silva / Banca: Francisco Eduardo Gontijo Guimarães / Banca: Ignez Caracelli / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Descreve-se a preparação de várias amostras de filmes finos de Nitreto de Gálio (GaN), depositados sobre diferentes tipos de substratos pela utilização da técnica de RF-Magnetron Sputtering Reativo, utilizando-se atmosfera de nitrogênio ('N POT. 2') com diferentes temperaturas de substrato (< 400ºC). As amostras foram caracterizadas estruturalmente pelo uso da técnica de difração de raio-X (DRX), permitindo a obtenção de informações sobre tamanhos de cristalito, padrões de texturação e parâmetros de rede. A ocorrência de textura de orientação bem definida e a relação desta com as condições do alvo utilizado são analisadas no trabalho. / Abstract: The preparation of several samples of Gallium Nitride (GaN) thin films, deposited onto different kinds of substrates by Reactive RD - Magnetron Sputtering, in pure Nitrogen ('N POT. 2') atmosphere with different substrate temperatures (< 400ºC) is described. The samples were structurally characterized by the use of X-ray diffraction, allowing obtain of information about cristalite size, texture pattern, and lattice parameters. The occurence of orientation texture and its relationship with target conditions are analysed. / Mestre

Identiferoai:union.ndltd.org:UNESP/oai:www.athena.biblioteca.unesp.br:UEP01-000593114
Date January 2009
CreatorsCarvalho, Adriano Vieira de.
ContributorsUniversidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais.
PublisherBauru : [s.n.],
Source SetsUniversidade Estadual Paulista
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typetext
Format105 f. :
RelationSistema requerido: Adobe Acrobat Reader

Page generated in 0.0021 seconds