Return to search

Contribución al estudio de la identificación de niveles profundos en dispositivos semiconductores

El objetivo último de este trabajo es el estudio de la degradación de las células solares en el ambiente espacial fuera de la atmósfera, con el fin de conseguir mejores rendimientos durante el mayor tiempo posible de los generadores fotoeléctricos en vehículos espaciales, y tener la capacidad de hacer predicciones a largo plazo del comportamiento de las células.

Identiferoai:union.ndltd.org:TDX_UPC/oai:www.tdx.cat:10803/130792
Date29 September 1983
CreatorsPol Fernández, Clemente
ContributorsCastañer Muñoz, Luis, 1948-, Universitat Politècnica de Catalunya. Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació de Barcelona
PublisherUniversitat Politècnica de Catalunya
Source SetsUniversitat Politècnica de Catalunya
LanguageSpanish
Detected LanguageSpanish
Typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Format219 p., application/pdf
SourceTDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess, ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.

Page generated in 0.0018 seconds