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Teoria diagramÃtica para plasmons em semicondutores

CoordenaÃÃo de AperfeiÃoamento de Pessoal de NÃvel Superior / CoordenaÃÃo de AperfeiÃoamento de NÃvel Superior / O cÃlculo da luminescÃncia em um semicondutor de gap direto à feito por dois mÃtodos e, sÃo realizadas comparaÃÃes dos resultados teÃricos obtidos. No primeiro caso, o mÃtodo das funÃÃes de Green à utilizado e a interaÃÃo coulombiana entre o sistema elÃtron-buraco que compÃe o plasma, à tratada atravÃs da AproximaÃÃo de Fases AleatÃrias. Como resultado importante obtemos a funÃÃoo dielÃtrica, com a qual podemos associar a resposta Ãptica do sistema Ãs excitaÃÃes externas. No segundo caso, usamos a teoria diagramÃtica para obter a relaÃÃo de dispersÃo para o semicondutor de gap direto.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:www.teses.ufc.br:432
Date10 September 2004
CreatorsAntonio Neudson Lima Marques
ContributorsRaimundo Nogueira da Costa Filho
PublisherUniversidade Federal do CearÃ, Programa de PÃs-GraduaÃÃo em FÃsica, UFC, BR
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Formatapplication/pdf
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFC, instname:Universidade Federal do Ceará, instacron:UFC
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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