Sur l'incorporation du thalium dans une matrice III-V Préparation de GaTIAs et InTIAs par épitaxie par jets molélculaires /

Description

Thèse de doctorat : sciences.Dispositif de l'électronique intégré : Ecully, Ecole centrale de Lyon : 2004. / 112 réf.

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1. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/rbeneyton.pdf

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Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/493447858
Date	January 2004
Creators	Beneyton, Rémi Hollinger, Guy.
Publisher	[S.l.] : [s.n.],
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French