Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe

Description

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

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1. http://hdl.handle.net/1866/8030

Tags

Silicium amorphe

Amorphous silicon

Approximation des liaisons fortes

Tight-binding

Défauts ponctuels

Point defect

Réseaux aléatoires continus

Continuous random network

Lacunes

Vacancy

Coordination

Coordination

Volume de Voronoï

Voronoi volume

Charge

Charge

Dynamique moléculaire

Molecular dynamics

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:LACETR/oai:collectionscanada.gc.ca:QMU.1866/8030
Date	January 2007
Creators	Urli, Xavier
Contributors	Lewis, Laurent J.
Source Sets	Library and Archives Canada ETDs Repository / Centre d'archives des thèses électroniques de Bibliothèque et Archives Canada
Language	English
Detected Language	French
Type	Thèse ou Mémoire numérique / Electronic Thesis or Dissertation