Orientadores: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho, Peter Junger Tatsch / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-22T10:10:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1996 / Resumo: Foram crescidos tarugos monocristalinos de antimoneto de gálio (GaSb), de arseneto de gálio (GaAs) e de fosfeto de índio (InP) utilizando-se as técnicas Czochra1ski,para o GaSb, e Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), para os outros dois, tendo como objetivo o domíno e aperfeiçoamento das técnicas de crescimento e também a obtenção de lâminas monocristalinas destes materiais para serem utilizadas como substratos em epitaxia. Os tarugos monocristalinos de GaSb de 25mm de diâmetro foram crescidos na direção <100> com e sem dopagem intencional. Os cristais não dopados resultaram em tipo-p com concentrações de portadores entre 9,0 x '10 POT. 16 cm POT. -3¿ e 1,3 x ¿10 POT. 17 cm POT. ¿3¿. Os dopados (tipo-n) com telúrio (Te) apresentaram concentrações de portadores entre 4,3 x ¿10 POT. 17 cm POT. ¿3¿ e 3,8 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿, de acordo com a quantidade de Te inicialmente acrescentada ao melt. A densidade de defeitos cristalinos (EPD) das amostras é da ordem de ¿10 POT. 3 cm POT. ¿2¿. O aperfeiçoamento introduzido à técnica de crescimento foi o pré-tratamento químico-térmico do gálio (Ga) e do antimônio (Sb) para contornar a formação de óxidos na superficie do melt durante o puxamento do cristal ¿ um problema típico da técnica de crescimento utilizada. Foi também desenvolvido um procedimento para a determinação das densidades de doadores e aceitadores para as amostras (tipo-n), levando-se em conta as duas bandas de condução envolvidas ('gama¿ e L). Os crescimentos de GaAs realizados neste trabalho tiveram como principal objetivo a calibração do sistema de crescimento LEC visando o posterior puxamento dos tarugos de InP. Os tarugos de GaAs foram crescidos na direção <100>, com diâmetro em torno de 25mm, não dopados intencionalmente. Foram cortadas lâminas destes tarugos as quais apresentaram características elétricas do (tipo-n), com 'n POT. H¿ em torno de 1,9 x 10 POT. 16 cm POT. ¿3¿ e EPD da ordem de ¿10 POT. 5 cm POT. ¿2¿. Monocristais de InP foram crescidos na direção <100> sem a adição de dopantes ((tipo-n)), dopados com enxofre (S) ((tipo-n)), dopados com zinco (Zn) (tipo-p) e dopados com ferro (Fe) (semi-isolantes). As lâminas não dopadas apresentaram ' n ANTPOT. H¿ entre 3,3 x 'l0 POT. 15 cm POT. ¿3¿ e 8,6 x 'l0 POT. 16 cm POT. ¿3¿,as do (tipo-n) apresentaram 'n ANTPOT. H¿ de 4,3 x 'l0 POT. 17 cm POT. ¿3¿ até 6,4 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿, as do tipo-p apresentaram 'n ANTPOT. H¿ entre 2,9 x 10 POT. 17 cm-3e 5,1 x ¿10 POT. 18 cm POT. ¿3¿ e as semi-isolantes apresentaram resistividade de ' 1,0 x 'l0 POT. 7 'ômega¿ cm. O valor médio do EPD para estas lâminas foi da ordem de ¿10 POT. 4 cm POT. ¿2¿. A inovação proposta à técnica de crescimento utilizada foi o uso de cadinhos de um material alternativo ¿ o carbono vítreo / Doutorado / Eletronica e Comunicações / Doutor em Engenharia Elétrica
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261012 |
| Date | 10 December 1996 |
| Creators | Oliveira, Clovis Eduardo Mazzotti |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Tatsch, Peter Jürgen, 1949-, Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-, Prince, Francisco Carlos de, Hernandes, Antonio Carlos, Damiani, Furio, Swart, Jacobus W., Jr, Rubens Caran, Chiquito, Jose Geraldo |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis |
| Format | 96 f. : il., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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