Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T19:29:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho é feita uma análise detalhada do comportamento térmico da tensão de Threshold, Vt, do transistor MOS. Como a variação da tensão Vt com temperatura é sensivelmente afetada pela tensão de corpo, Vsb, foi investigada a possibilidade de utilizar a diferença entre os Vi's de dois transistores, ÓVt, que estejam sujeitos a tensões de corpo distintas, como termo de compensação térmica a Vt. A análise mostra que a tensão 11Vt, se devidamente ajustada, apresenta um comportamento térmico oposto ao de Vt, tomando viável a obtenção de uma tensão termicamente estável à partir de uma combinação linear de Vt e 11Vt. O trabalho está dividido em sete capítulos, tendo os três primeiros o objetivo de dar uma visão do problema. Assim, no primeiro capítulo é apresentada uma argumentação sobre a necessidade de uma referência de tensão. No segundo capítulo é descrito o princípio em que se baseia a chamada referência de tensão "Bandgap", comumente implementada em tecnologia Bipolar e no terceiro capítulo é feita uma resenha das prinicipaispublicações sobre referências de tensão MOS. O quarto capítulo corresponde ao trabalho de pesquisa realizado. Aí são apresentados o equacionamento e análises dos modelos do transistor MOS, focalizando, particularmente a variação em temperatura da tensão de Threshold sob influência de Vsb. Com base nos resultados obtidos, especula-se a proposição de uma referência de tensão cujo princípio de compensação térmica é inédito. O trabalho não apresenta um. circuito que implemente este novo princípio, porém propõe uma possível estrutura que é analisada e simulada ..em Spice, sendo este o assunto do quinto capítulo. Os dois últimos capítulos correspondem, respectivamente, à apresentação do leiaute de uma estrutura de teste que foi submetida a fabricação através do PMU-IO e Conclusões / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261315 |
| Date | 02 December 1994 |
| Creators | Brito, João Carlos Felicio |
| Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Reis Filho, Carlos Alberto dos, 1950-, Filho, Carlos Alberto dos Reis |
| Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | [50]f. : il., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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