Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T10:29:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1981 / Resumo: Quando apresentada em 1972, uma das principais promessas da tecnologia I2L era a possibilidade de confeccionar circuitos digitais e analógicos na mesma pastilha. Entretanto, os requisitos necessários para a confecção dos circuitos I2L limitam severamente o desempenho dos transistores NPN da parte analogica da pastilha, que apresentam
tensões de ruptura muito baixas devido ao fenômeno de "punch-through". Este trabalho apresenta uma nova técnica para a confecção de circuitos digitais I2L e circuitos de alta tensão de ruptura na mesma pastilha, usando apenas uma
máscara adicional em relação ao processo convencional de confecção de circuitos I2L e analógicos na mesma pastilha.
são apresentados tambem, além da máscara de teste, os resultados experimentais que fornecem, para uma estrutura I2L com 6 coletores, B eff = 8, e tempo de atraso míni mo por porta ta = 75 ns. Para os transistoresda parte analógica,obteve-se VCEO = 35V e VCBO = 65V / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261324 |
Date | 14 July 2018 |
Creators | Dias, José Antonio Siqueira, 1954- |
Contributors | UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Mammana, Carlos Ignacio Zamitti, 1941- |
Publisher | [s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica |
Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
Language | Portuguese |
Detected Language | Portuguese |
Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
Format | 1v. (varias paginações) : il., application/pdf |
Source | reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP |
Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Relation | (Publicação FEC) |
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